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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDD8424H-F085A_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A,6.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1000pF 20V

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD

供应商器件封装: TO-252(DPAK)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDD8424H-F085A_射频晶体管

P-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

供应商器件封装: TO-252-4L

FDD8424H-F085A_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A,6.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1000pF 20V

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD

供应商器件封装: TO-252(DPAK)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDD8424H-F085A_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

供应商器件封装: TO-252-4L

FDD8424H-F085A_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

供应商器件封装: TO-252-4L

Mouser
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FDD8424H-F085A_未分类
FDD8424H-F085A
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

FDD8424H-F085A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A,6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1000pF 20V
功率 - 最大值: 1.3W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商器件封装: TO-252(DPAK)
温度: -55°C # 150°C(TJ)