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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS3606AS_null
FDMS3606AS
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

+1:

¥19.488734

+200:

¥7.542999

+500:

¥7.277774

+1000:

¥7.150466

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,27A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1695pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDMS3606AS_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

射频晶体管

+3000:

¥7.696788

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,27A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1695pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMS3606AS_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

射频晶体管

+3000:

¥13.300024

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,27A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1695pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMS3606AS_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

FDMS3606AS_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

FDMS3606AS参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,27A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1695pF 15V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: Power56
温度: -55°C # 150°C(TJ)