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自营 现货库存
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FDML7610S_null
FDML7610S
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP
+1：

￥9.801761

+10：

￥8.315652

+30：

￥7.496107

+100：

￥6.567289

+500：

￥6.152053

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A, 17A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750pF 15V

功率 - 最大值： 800mW, 900mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (3x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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FDML7610S_射频晶体管
FDML7610S
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP

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射频晶体管
+3000：

￥4.656011

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A, 17A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750pF 15V

功率 - 最大值： 800mW, 900mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (3x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDML7610S_射频晶体管
FDML7610S
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP

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射频晶体管
+3000：

￥11.389835

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A, 17A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750pF 15V

功率 - 最大值： 800mW, 900mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (3x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDML7610S_射频晶体管
FDML7610S
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP

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射频晶体管
+1：

￥31.209216

+10：

￥21.249805

+100：

￥15.148708

+500：

￥12.438097

+1000：

￥11.554142

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (3x4.5)

FDML7610S_射频晶体管
FDML7610S
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP

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射频晶体管
+1：

￥31.209216

+10：

￥21.249805

+100：

￥15.148708

+500：

￥12.438097

+1000：

￥11.554142

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (3x4.5)

Mouser
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FDML7610S_晶体管
FDML7610S
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP

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晶体管
+1：

￥29.351721

+10：

￥23.050221

+100：

￥16.417064

+250：

￥16.367318

+500：

￥13.481893

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-3x45-8

系列： FDML7610S

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 30 A

Rds On-漏源导通电阻： 7.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 28 nC, 60 nC

Pd-功率耗散： 2.2 W

通道模式： Enhancement

商标名： Power Stage PowerTrench SyncFet

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

高度： 0.8 mm

长度： 4.5 mm

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 2 N-Channel

宽度： 3 mm

单位重量： 300 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDML7610S_未分类
FDML7610S
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin MLP EP T/R

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未分类
+3000：

￥11.061946

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
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FDML7610S_未分类
FDML7610S
APTINA IMAGING
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin MLP EP T/R

未分类
+3000：

￥6.805803

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDML7610S_未分类
FDML7610S
onsemi(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥7.695687

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDML7610S参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A, 17A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5mOhm 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1750pF 15V
功率 - 最大值: 800mW, 900mW
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-MLP (3x4.5)
温度: -55°C # 150°C (TJ)