品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A, 17A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750pF 15V

功率 - 最大值： 800mW, 900mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (3x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A, 17A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750pF 15V

功率 - 最大值： 800mW, 900mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (3x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A, 17A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750pF 15V

功率 - 最大值： 800mW, 900mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (3x4.5)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-3x45-8

系列： FDML7610S

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 30 A

Rds On-漏源导通电阻： 7.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 28 nC, 60 nC

Pd-功率耗散： 2.2 W

通道模式： Enhancement

商标名： Power Stage PowerTrench SyncFet

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

高度： 0.8 mm

长度： 4.5 mm

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 2 N-Channel

宽度： 3 mm

单位重量： 300 mg

温度： - 55 C~+ 150 C