类型： -

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

功率(Pd)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 8.2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1840pF 15V

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）

供应商器件封装： 8-TSSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 8.2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1840pF 15V

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）

供应商器件封装： 8-TSSOP

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Obsolete

FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15mOhm 8.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1840pF 15V

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装： 8-TSSOP

温度： -55°C # 150°C (TJ)