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自营 现货库存
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FDMS7620S_null
FDMS7620S
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V POWER56

+1:

¥4.742435

+10:

¥4.64409

+30:

¥4.578526

+100:

¥4.502035

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.1A, 12.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20mOhm 10.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 608pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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FDMS7620S_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V POWER56

射频晶体管

+3000:

¥4.861402

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.1A, 12.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20mOhm 10.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 608pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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FDMS7620S_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V POWER56

射频晶体管

+3000:

¥8.400487

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.1A, 12.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20mOhm 10.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 608pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FDMS7620S_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V POWER56

射频晶体管

+1:

¥17.421988

+10:

¥15.580943

+100:

¥12.144733

+500:

¥10.032593

+1000:

¥8.400611

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

FDMS7620S_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V POWER56

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

Mouser
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FDMS7620S_晶体管
FDMS7620S
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V POWER56

晶体管

+1:

¥19.743316

+10:

¥17.755734

+100:

¥13.780569

+500:

¥11.421973

+1000:

¥9.023624

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: Power-56-8

系列: FDMS7620S

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 10.1 A, 12.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms, 11.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 11 nC, 23 nC

Pd-功率耗散: 2.2 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench SyncFET

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 1.4 ns, 1.5 ns

正向跨导 - 最小值: 22 S, 53 S

高度: 0.8 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 1.2 ns, 1.8 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 11.9 nS, 17.4 nS

典型接通延迟时间: 5.2 nS, 6.6 nS

宽度: 5 mm

单位重量: 211 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDMS7620S_未分类
FDMS7620S
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R

未分类

+3000:

¥7.588495

+6000:

¥7.51309

+9000:

¥7.375328

+12000:

¥7.301371

+15000:

¥7.228865

库存: 0

货期:7~10 天

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FDMS7620S参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.1A, 12.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20mOhm 10.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 608pF 15V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: Power56
温度: -55°C # 150°C (TJ)