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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQB9P25TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥16.594598 +10：￥13.884847 +30：￥12.277902 +100：￥10.649951 +500：￥9.893741	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQB9P25TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥5.611312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQB9P25TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥9.696328	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQB9P25TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.997456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
FQB9P25TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.997456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQB9P25TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥29.201909 +10：￥26.309267 +25：￥24.794073 +100：￥21.212707 +500：￥17.355852	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： TO-263-3 系列： FQB9P25 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： P-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 250 V Id-连续漏极电流： 9.4 A Rds On-漏源导通电阻： 620 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 5 V Qg-栅极电荷： 38 nC Pd-功率耗散： 3.13 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 65 ns 正向跨导 - 最小值： 5.7 S 高度： 4.83 mm 长度： 10.67 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 150 ns 晶体管类型： 1 P-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 45 ns 典型接通延迟时间： 20 ns 宽度： 9.65 mm 单位重量： 4 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQB9P25TM 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥10.284893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQB9P25TM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	620 毫欧 4.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.13W（Ta），120W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）