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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ8403 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.182358 +10：￥19.363122 +30：￥17.680323 +100：￥15.986596	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 215pF 15V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ8403 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP 下载数据手册未分类	+221：￥13.105884 +1103：￥12.848027	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 215pF 15V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMQ8403 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.834314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 215pF 15V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ8403 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥12.018994 +6000：￥11.567116	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 215pF 15V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ8403 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥20.76878 +6000：￥19.987938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 215pF 15V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMQ8403 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥41.355046 +10：￥37.169262 +100：￥30.450638 +500：￥25.921946 +1000：￥21.861862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： GreenBridge™ PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)
	FDMQ8403 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥41.355046 +10：￥37.169262 +100：￥30.450638 +500：￥25.921946 +1000：￥21.861862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： GreenBridge™ PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)
	FDMQ8403 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 下载数据手册未分类	+1：￥12.15441	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 1.9W FET Type： 4 N-Channel (Half Bridge) Drain to Source Voltage (Vdss)： 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 215pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 5nC @ 10V FET Feature： Standard Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： 12-MLP (5x4.5) Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ8403 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP 下载数据手册未分类	+1：￥36.596996 +10：￥30.893568 +100：￥25.031712 +500：￥24.397997 +3000：￥24.239569	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ8403 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥19.333293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMQ8403参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	GreenBridge™ PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	4 个 N 通道（H 桥）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	215pF 15V
功率 - 最大值:	1.9W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	12-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	12-MLP（5x4.5）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）