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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3602AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 下载数据手册	+1：￥16.86831 +200：￥6.535144 +500：￥6.301746 +1000：￥6.185047	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A，26A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.6 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1770pF 13V 功率 - 最大值： 2.2W，2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDMS3602AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A，26A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.6 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1770pF 13V 功率 - 最大值： 2.2W，2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3602AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A，26A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.6 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1770pF 13V 功率 - 最大值： 2.2W，2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS3602AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
	FDMS3602AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
	FDMS3602AS ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册未分类	+294：￥12.253583	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 2.2W, 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A, 26A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1770pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.6mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3602AS ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 下载数据手册晶体管	+1：￥29.07317 +100：￥24.174974 +500：￥17.064688 +1000：￥15.690033 +3000：￥13.319938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Cut Tape,Reel 封装/外壳： Power-56-8 系列： FDMS3602AS 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 25 V Id-连续漏极电流： 15 A, 26 A Rds On-漏源导通电阻： 2.2 mOhms, 5.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V Qg-栅极电荷： 27 nC, 64 nC Pd-功率耗散： 2.5 W 通道模式： Enhancement 商标名： Power Stage PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Dual 高度： 1.1 mm 长度： 6 mm 产品类型： MOSFET 晶体管类型： 2 N-Channel 宽度： 5 mm 单位重量： 171 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

FDMS3602AS参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A，26A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.6 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1770pF 13V
功率 - 最大值:	2.2W，2.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	Power56
温度:	-55°C # 150°C（TJ）