品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 74A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.01 毫欧 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3340pF 13V

功率 - 最大值： 26W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 12-PowerWQFN

供应商器件封装： 12-PQFN（3.3x3.3）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 74A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.01 毫欧 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3340pF 13V

功率 - 最大值： 26W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 12-PowerWQFN

供应商器件封装： 12-PQFN（3.3x3.3）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： WDFN-12

系列： FDPC3D5N025X9D

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 25 V

Id-连续漏极电流： 74 A

Rds On-漏源导通电阻： 3.01 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 51 nC

Pd-功率耗散： 1.8 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

高度： 0.8 mm

长度： 3.3 mm

产品类型： MOSFET

宽度： 3.3 mm

单位重量： 31.400 mg

温度： - 55 C~+ 150 C