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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDM3300NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23mOhm 10A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： Power33 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDM3300NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.636476 +6000：￥5.230758 +9000：￥5.024072 +15000：￥4.972057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23mOhm 10A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： Power33 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FDM3300NZ Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+114：￥40.541384	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23mOhm 10A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： Power33 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDM3300NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23mOhm 10A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1610pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： Power33 温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDM3300NZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	Obsolete
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23mOhm 10A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1610pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	Power33
温度:	-55°C # 150°C (TJ)