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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS89141 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥15.88972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDS89141 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDS89141 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥9.199951 +5000：￥8.854131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS89141 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥15.897485 +5000：￥15.299909	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.1nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS89141 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥35.30509 +10：￥29.288306 +100：￥23.308818 +500：￥19.722368 +1000：￥16.73424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS89141 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥35.30509 +10：￥29.288306 +100：￥23.308818 +500：￥19.722368 +1000：￥16.73424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS89141 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥45.835863 +10：￥37.142854 +100：￥30.346503 +500：￥25.604862 +1000：￥21.81155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS89141 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥14.577495	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS89141 onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=100 V, 3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚下载数据手册未分类	+626：￥21.542233 +1250：￥20.911001	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FDS89141 onsemi(安森美) 授权代理品牌	onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=100 V, 3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚下载数据手册未分类	+2500：￥12.516761 +12500：￥12.266563	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDS89141参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	62 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.1nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	398pF 50V
功率 - 最大值:	1.6W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）