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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS8934A_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

射频晶体管

+76:

¥1.262754

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55mOhm 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130pF 10V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS8934A_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

射频晶体管

+76:

¥2.182033

+100:

¥2.182033

+300:

¥2.182033

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¥2.182033

+1000:

¥2.182033

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55mOhm 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130pF 10V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FDS8934A_射频晶体管

P-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

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¥2.182033

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¥2.182033

+300:

¥2.182033

+500:

¥2.182033

+1000:

¥2.182033

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55mOhm 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130pF 10V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FDS8934A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55mOhm 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130pF 10V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C (TJ)