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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.985481 +10：￥44.987921 +30：￥35.99024 +90：￥29.991907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 14.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FQA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥35.5027 +10：￥31.230138 +30：￥26.793666 +90：￥24.225758	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 14.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FQA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.044335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 14.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥35.274107 +500：￥33.211798 +1000：￥32.644099 +3000：￥32.0764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 14.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FQA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 14.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 14.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA28N50 ON Semiconductor 授权代理品牌	28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 28.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 160mOhm @ 14.2A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-3P Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5600 pF @ 25 V
FQA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P 下载数据手册未分类	+300：￥33.718707	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 28.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 160mOhm @ 14.2A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5600 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA28N50 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥91.464014 +10：￥76.927769 +25：￥72.517897 +100：￥62.228195 +250：￥58.798295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 450

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA28N50 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+450：￥35.694824 +500：￥35.366432 +1000：￥35.023762 +2000：￥34.695369 +2500：￥34.3527	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQA28N50参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160 毫欧 14.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）