品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Obsolete

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Obsolete

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 130mOhm @ 3.5A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOIC

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.5 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 405 pF @ 10 V

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 3.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOIC-8

系列： FDS9431A_F085

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 3.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 110 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 6 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

正向跨导 - 最小值： 6.5 S

高度： 1.75 mm

长度： 4.9 mm

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 1 P-Channel

宽度： 3.9 mm

零件号别名： FDS9431A_F085

单位重量： 230.400 mg

温度： - 55 C~+ 150 C