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自营 现货库存
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FDS4675-F085_未分类
FDS4675-F085
授权代理品牌

MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 11A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4350 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDS4675-F085_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 11A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4350 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDS4675-F085_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 11A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4350 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

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FDS4675-F085
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MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC

未分类

+1000:

¥10.716218

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SOIC

Grade: Automotive

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V

Qualification: AEC-Q101

Mouser
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授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 11A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4350 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDS4675-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4350 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)