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FDS8947A_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52mOhm 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 730pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FDS8947A_射频晶体管

P-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

+157:

¥23.599998

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52mOhm 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 730pF 15V

功率 - 最大值: 900mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FDS8947A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52mOhm 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 730pF 15V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C (TJ)