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FQS4900TF_未分类
FQS4900TF
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

未分类

+1:

¥5.00469

+200:

¥1.934127

+500:

¥1.868563

+1000:

¥1.835781

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Active

FET 类型: N and P-Channel

FET 功能: Standard

漏源电压(Vdss): 60V, 300V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A, 300mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550mOhm 650mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.95V 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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FQS4900TF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

射频晶体管

+3000:

¥4.796333

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Active

FET 类型: N and P-Channel

FET 功能: Standard

漏源电压(Vdss): 60V, 300V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A, 300mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550mOhm 650mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.95V 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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FQS4900TF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

射频晶体管

+3000:

¥8.288047

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Active

FET 类型: N and P-Channel

FET 功能: Standard

漏源电压(Vdss): 60V, 300V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A, 300mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550mOhm 650mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.95V 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FQS4900TF_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

射频晶体管

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货期:7~10 天

系列: QFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

FQS4900TF_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

射频晶体管

+1:

¥13.004066

+200:

¥5.040336

+500:

¥4.853124

+1000:

¥4.766718

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
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FQS4900TF_晶体管
FQS4900TF
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

晶体管

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOIC-8

系列: FQS4900

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V, 300 V

Id-连续漏极电流: 1.3 A, 300 mA

Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms, 15.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 1.95 V

Qg-栅极电荷: 2.1 nC, 4.7 nC

Pd-功率耗散: 2 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 17 ns, 47 ns

正向跨导 - 最小值: 1.7 S, 0.6 S

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 21 ns, 25 ns

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 11 ns, 35 ns

典型接通延迟时间: 5.7 ns, 10 ns

宽度: 3.9 mm

单位重量: 230.400 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

FQS4900TF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: Active
FET 类型: N and P-Channel
FET 功能: Standard
漏源电压(Vdss): 60V, 300V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A, 300mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550mOhm 650mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.95V 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.1nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C (TJ)