品牌： onsemi

包装： -

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

配置： 半桥

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 A

功率 - 最大值： 892 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，300A

电流 - 集电极截止（最大值）： 250 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： -

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 底座安装

封装/外壳： 7PM-HA

供应商器件封装： 7PM-HA

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

IGBT 类型： -

配置： Half Bridge

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 A

功率 - 最大值： 892 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V, 300A

电流 - 集电极截止（最大值）： 250 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： -

输入： Standard

NTC 热敏电阻： No

工作温度： -40°C # 150°C (TJ)

安装类型： Chassis Mount

封装/外壳： 7PM-HA

供应商器件封装： 7PM-HA

温度： -40°C # 150°C (TJ)