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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC6302P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6

射频晶体管

+3000:

¥1.041312

+6000:

¥0.94054

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.31nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11pF 10V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC6302P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6

射频晶体管

+3000:

¥2.547325

+6000:

¥2.300809

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.31nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11pF 10V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDC6302P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6

射频晶体管

+1:

¥8.642202

+10:

¥7.395458

+25:

¥6.902428

+100:

¥5.127234

+250:

¥4.871368

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

FDC6302P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

FDC6302P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 欧姆 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.31nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11pF 10V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)