品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 11A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.75 V 10 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 575pF 1V，100kHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 11A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.75 V 10 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 575pF 1V，100kHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 11A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.75 V 10 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 575pF 1V，100kHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 11A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.75 V 10 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 575pF 1V，100kHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 4-PowerTSFN

Mounting Type： Surface Mount

Speed： No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F： 575pF @ 1V, 100kHz

Current - Average Rectified (Io)： 11A

Supplier Device Package： 4-PQFN (8x8)

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.75 V @ 10 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 µA @ 650 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 4-PowerTSFN

Mounting Type： Surface Mount

Speed： No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F： 575pF @ 1V, 100kHz

Current - Average Rectified (Io)： 11A

Supplier Device Package： 4-PQFN (8x8)

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.75 V @ 10 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 µA @ 650 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 4-PowerTSFN

Mounting Type： Surface Mount

Speed： No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F： 575pF @ 1V, 100kHz

Current - Average Rectified (Io)： 11A

Supplier Device Package： 4-PQFN (8x8)

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.75 V @ 10 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 µA @ 650 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： PQFN-4

系列：

产品种类： 肖特基二极管与整流器

产品： Schottky Silicon Carbide Diodes

安装风格： SMD/SMT

配置： Single

技术： SiC

If - 正向电流： 10 A

Vrrm - 重复反向电压： 650 V

Vf - 正向电压： 1.5 V

Ifsm - 正向浪涌电流： 56 A

Ir - 反向电流 ： 200 uA

商标： onsemi

Pd-功率耗散： 42 W

产品类型： Schottky Diodes & Rectifiers

Vr - 反向电压 ： 650 V

温度： - 55 C~+ 175 C