FQT4N20LTF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT4N20LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.412861 +20000：￥2.171587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 850mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 425mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FQT4N20LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.640442 +10：￥17.266784 +30：￥15.785874 +100：￥14.262952 +500：￥13.56976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 850mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 425mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FQT4N20LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.534708 +59：￥2.392775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 850mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 425mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FQT4N20LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.439892 +8000：￥1.340574 +12000：￥1.290914 +28000：￥1.241255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 850mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 425mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQT4N20LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.522357 +8000：￥3.279398 +12000：￥3.15792 +28000：￥3.03644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 850mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.35 欧姆 425mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQT4N20LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.093978 +10：￥8.021702 +100：￥6.145901 +500：￥4.858356 +1000：￥3.886657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4
FQT4N20LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.093978 +10：￥8.021702 +100：￥6.145901 +500：￥4.858356 +1000：￥3.886657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT4N20LTF ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 下载数据手册未分类	+1：￥9.397605 +10：￥8.28953 +100：￥6.353903 +500：￥5.021407 +1000：￥4.025542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 4000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQT4N20LTF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥8.85089 +10：￥7.695805 +25：￥6.981908 +100：￥5.529842 +250：￥5.521275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQT4N20LTF参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	850mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.35 欧姆 425mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.2 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	310 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.2W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）