品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 500mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-XFBGA，WLCSP

供应商器件封装： 4-WLCSP（1.6x1.4）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 500mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-XFBGA，WLCSP

供应商器件封装： 4-WLCSP（1.6x1.4）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 500mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-XFBGA，WLCSP

供应商器件封装： 4-WLCSP（1.6x1.4）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 4-XFBGA, WLCSP

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 500mW

FET Type： 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Drain to Source Voltage (Vdss)： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17nC @ 4.5V

FET Feature： Standard

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.3V @ 250µA

Supplier Device Package： 4-WLCSP (1.6x1.4)

Part Status： Obsolete

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： WLCSP-4

系列： FDZ1416NZ

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 24 V

Id-连续漏极电流： 7 A

Rds On-漏源导通电阻： 23 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 900 mV

Qg-栅极电荷： 12 nC

Pd-功率耗散： 1.7 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 16 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 12 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 37 ns

典型接通延迟时间： 9.5 ns

单位重量： 22.240 mg

温度： - 55 C~+ 150 C