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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3992 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥21.402238 +200：￥14.473415 +800：￥10.624163 +2500：￥7.698625 +5000：￥7.313724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3992 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.760042 +10：￥3.108861 +30：￥2.783271 +100：￥2.468184 +500：￥2.268629	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3992 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.514044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3992 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+5：￥24.960577 +625：￥23.171367 +1250：￥22.472298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS3992 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥13.830377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3992 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.909334 +5000：￥3.713898 +12500：￥3.574244	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS3992 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥9.563267 +5000：￥9.085179 +12500：￥8.743549	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS3992 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.582477 +10：￥20.145221 +100：￥15.711345 +500：￥12.978865 +1000：￥10.246386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS3992 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.582477 +10：￥20.145221 +100：￥15.711345 +500：￥12.978865 +1000：￥10.246386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS3992 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 2.5W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 62mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 15nC @ 10V FET Feature： Standard Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SOIC Part Status： Active

FDS3992参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	62 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	750pF 25V
功率 - 最大值:	2.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）