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FDME1023PZT_未分类
FDME1023PZT
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

未分类
+1：

￥6.40338

+200：

￥2.48049

+500：

￥2.393072

+1000：

￥2.349363

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 142mOhm 2.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 10V

功率 - 最大值： 600mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 6-MicroFET (1.6x1.6)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FDME1023PZT_射频晶体管
FDME1023PZT
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

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射频晶体管
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 142mOhm 2.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 10V

功率 - 最大值： 600mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 6-MicroFET (1.6x1.6)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

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射频晶体管
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￥2.590538

库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 142mOhm 2.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 10V

功率 - 最大值： 600mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad

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温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FDME1023PZT_射频晶体管
FDME1023PZT
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MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

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射频晶体管
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￥6.337141

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 142mOhm 2.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 10V

功率 - 最大值： 600mW

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 6-MicroFET (1.6x1.6)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDME1023PZT_射频晶体管
FDME1023PZT
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MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

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射频晶体管
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￥13.175812

+10：

￥11.74489

+100：

￥9.162149

+500：

￥7.5683

+1000：

￥6.337141

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 6-MicroFET (1.6x1.6)

FDME1023PZT_射频晶体管
FDME1023PZT
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授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

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射频晶体管
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货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-UFDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 6-MicroFET (1.6x1.6)

Mouser
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FDME1023PZT_晶体管
FDME1023PZT
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MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

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晶体管
+1：

￥9.480922

+10：

￥8.271288

+100：

￥7.127038

+500：

￥6.52222

+1000：

￥5.753939

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： UMLP-6

系列： FDME1023PZT

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 2.3 A

Rds On-漏源导通电阻： 95 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 600 mV

Qg-栅极电荷： 5.5 nC

Pd-功率耗散： 1.3 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 16 ns

正向跨导 - 最小值： 7 S

高度： 0.55 mm

长度： 1.6 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 4.8 ns

晶体管类型： 2 P-Channel

典型关闭延迟时间： 33 ns

典型接通延迟时间： 4.7 ns

宽度： 1.6 mm

单位重量： 25.200 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

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FDME1023PZT_未分类
FDME1023PZT
onsemi(安森美)
授权代理品牌

onsemi P沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=20 V, 2.6 A, MicroFET 薄型封装, 表面贴装, 6引脚

未分类
+1250：

￥4.727459

+2500：

￥4.584981

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
FDME1023PZT_未分类
FDME1023PZT
onsemi(安森美)
授权代理品牌

onsemi P沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=20 V, 2.6 A, MicroFET 薄型封装, 表面贴装, 6引脚

未分类
+5000：

￥4.364259

+25000：

￥4.276668

库存： 0

货期：7~10 天

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FDME1023PZT参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: Active
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）: 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 142mOhm 2.3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 405pF 10V
功率 - 最大值: 600mW
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-UFDFN Exposed Pad
供应商器件封装: 6-MicroFET (1.6x1.6)
温度: -55°C # 150°C (TJ)