锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FFSM0865A7 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FFSM0865A_null
FFSM0865A
授权代理品牌

DIODE SBD 650V 8A 4PQFN

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 9.6A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V 8 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 463pF 1V,100kHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-PowerTSFN

供应商器件封装: 4-PQFN(8x8)

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FFSM0865A_二极管整流器
授权代理品牌
+3000:

¥18.664841

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 9.6A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V 8 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 463pF 1V,100kHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-PowerTSFN

供应商器件封装: 4-PQFN(8x8)

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FFSM0865A_二极管整流器
授权代理品牌
+3000:

¥45.659148

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 9.6A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V 8 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 463pF 1V,100kHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-PowerTSFN

供应商器件封装: 4-PQFN(8x8)

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

FFSM0865A_未分类
FFSM0865A
授权代理品牌

DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN

未分类

+3000:

¥35.517842

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: 4-PowerTSFN

Mounting Type: Surface Mount

Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr): 0 ns

Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz

Current - Average Rectified (Io): 9.6A

Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)

Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A

Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V

FFSM0865A_未分类
FFSM0865A
授权代理品牌

DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN

未分类

+1:

¥72.974322

+10:

¥61.255594

+100:

¥49.559814

+500:

¥44.053237

+1000:

¥37.720535

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: 4-PowerTSFN

Mounting Type: Surface Mount

Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr): 0 ns

Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz

Current - Average Rectified (Io): 9.6A

Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)

Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A

Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V

FFSM0865A_未分类
FFSM0865A
授权代理品牌

DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN

未分类

+1:

¥72.974322

+10:

¥61.255594

+100:

¥49.559814

+500:

¥44.053237

+1000:

¥37.720535

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: 4-PowerTSFN

Mounting Type: Surface Mount

Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr): 0 ns

Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz

Current - Average Rectified (Io): 9.6A

Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)

Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A

Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FFSM0865A_二极管与整流器
FFSM0865A
授权代理品牌
+1:

¥79.100667

+10:

¥66.331797

+100:

¥53.728756

+250:

¥50.743824

+500:

¥47.758895

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: PQFN-4

系列:

产品种类: 肖特基二极管与整流器

产品: Schottky Silicon Carbide Diodes

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

技术: SiC

If - 正向电流: 8 A

Vrrm - 重复反向电压: 650 V

Vf - 正向电压: 1.5 V

Ifsm - 正向浪涌电流: 49 A

Ir - 反向电流 : 200 uA

商标: onsemi

Pd-功率耗散: 38 W

产品类型: Schottky Diodes & Rectifiers

Vr - 反向电压 : 650 V

单位重量: 155.848 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

FFSM0865A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 9.6A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V 8 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容: 463pF 1V,100kHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-PowerTSFN
供应商器件封装: 4-PQFN(8x8)
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
温度: