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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC8602_射频晶体管
FDC8602
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

射频晶体管

+1:

¥19.660201

+10:

¥13.10672

+30:

¥10.922307

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 350 毫欧 1.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 50V

功率 - 最大值: 690mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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FDC8602_未分类
FDC8602
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MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

未分类

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¥7.288489

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¥7.12458

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¥7.015307

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 350 毫欧 1.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 50V

功率 - 最大值: 690mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDC8602
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 350 毫欧 1.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 50V

功率 - 最大值: 690mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDC8602_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

射频晶体管

+3000:

¥3.705288

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 350 毫欧 1.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 50V

功率 - 最大值: 690mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

射频晶体管

+3000:

¥9.011508

+6000:

¥8.605483

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 350 毫欧 1.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 50V

功率 - 最大值: 690mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

射频晶体管

+1:

¥32.127134

+10:

¥20.561366

+100:

¥13.926348

+500:

¥11.085392

+1000:

¥10.171451

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

FDC8602_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

射频晶体管

+1:

¥32.127134

+10:

¥20.561366

+100:

¥13.926348

+500:

¥11.085392

+1000:

¥10.171451

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

FDC8602_未分类
FDC8602
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

未分类

+1:

¥12.978659

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max: 690mW

FET Type: 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss): 100V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V

FET Feature: Standard

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: SuperSOT™-6

Part Status: Active

Mouser
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FDC8602_未分类
FDC8602
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

未分类

+1:

¥27.693432

+10:

¥19.070328

+100:

¥13.465309

+500:

¥10.961293

+1000:

¥10.148732

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SSOT-6

系列: FDC8602

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 1.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 2 nC

Pd-功率耗散: 690 mW

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 1.6 mm

单位重量: 36 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDC8602
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Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R

未分类

+3000:

¥8.412156

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDC8602参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 350 毫欧 1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF 50V
功率 - 最大值: 690mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)