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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8424H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK 下载数据手册射频晶体管	+10：￥27.22608 +100：￥22.178016 +200：￥17.787024 +500：￥15.881904 +800：￥14.741424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000pF 20V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252（DPAK）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8424H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥10.861706 +10：￥9.495798 +30：￥8.632543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000pF 20V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252（DPAK）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8424H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.626621	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000pF 20V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252（DPAK）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8424H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥514.552964 +5000：￥502.20368 +7500：￥477.505216	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000pF 20V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252（DPAK）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDD8424H VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD8424H VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.486784 +50：￥2.443993 +500：￥2.358198 +5000：￥2.293905 +30000：￥2.143815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8424H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥4.088123 +5000：￥3.883749 +12500：￥3.737727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000pF 20V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252（DPAK）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8424H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥7.064264 +5000：￥6.711106 +12500：￥6.45878	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000pF 20V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装： TO-252（DPAK）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDD8424H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK 下载数据手册射频晶体管	+1：￥16.646033 +10：￥14.885624 +100：￥11.605518 +500：￥9.587156 +1000：￥7.568795	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L
	FDD8424H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK 下载数据手册射频晶体管	+1：￥16.646033 +10：￥14.885624 +100：￥11.605518 +500：￥9.587156 +1000：￥7.568795	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 供应商器件封装： TO-252-4L

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8424H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥21.893863 +10：￥19.688725 +100：￥15.278452 +500：￥12.616536 +1000：￥10.332643	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： TO-252-5 系列： FDD8424H 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel, P-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 40 V Id-连续漏极电流： 9 A Rds On-漏源导通电阻： 24 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V, 3 V Qg-栅极电荷： 20 nC, 24 nC Pd-功率耗散： 3.1 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Dual 下降时间： 6 ns, 3 ns 正向跨导 - 最小值： 29 S 高度： 2.39 mm 长度： 6.73 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 13 ns, 3 ns 晶体管类型： 1 N-Channel, 1 P-Channel 典型关闭延迟时间： 17 ns, 20 ns 典型接通延迟时间： 7 ns 宽度： 6.22 mm 单位重量： 4 g 温度： - 55 C~+ 150 C

FDD8424H参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A，6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1000pF 20V
功率 - 最大值:	1.3W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
供应商器件封装:	TO-252（DPAK）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）