FDWS9510L-F085厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDWS9510L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥301.08672 +10：￥167.2704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2320 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5.1x6.3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDWS9510L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN 下载数据手册未分类	+1：￥4.915362 +200：￥1.901027 +500：￥1.838009 +1000：￥1.806501	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2320 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5.1x6.3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDWS9510L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2320 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5.1x6.3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDWS9510L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2320 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5.1x6.3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDWS9510L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5.1x6.3)
FDWS9510L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5.1x6.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDWS9510L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN 下载数据手册未分类	+1：￥19.917314 +10：￥16.971796 +100：￥13.998225 +250：￥13.549384 +500：￥11.571678	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDWS9510L-F085 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 8-Pin DFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥6.756317	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDWS9510L-F085参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.5 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	37 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2320 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tj）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN（5.1x6.3）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）