FDS9958厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDS9958 共 11 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9958 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO 下载数据手册未分类	+1：￥2.611618 +10：￥2.130818 +30：￥1.9232 +100：￥1.660945 +500：￥1.540745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 30V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS9958 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS9958 下载数据手册未分类	+1：￥3.507654 +10：￥2.862945 +30：￥2.589763 +100：￥2.251018 +500：￥1.87949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9958 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS9958 TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+1：￥1.844483 +100：￥1.770703 +500：￥1.696924 +3000：￥1.623145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS9958 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS9958 TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+5：￥1.965069 +50：￥1.807863 +150：￥1.729261 +300：￥1.650658	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS9958 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.887869	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 30V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS9958 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥15.153311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 30V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9958 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 30V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9958 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1020pF 30V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS9958 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS9958 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

FDS9958参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105毫欧 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1020pF 30V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）