FCH085N80-F155厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FCH085N80-F155 共 7 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH085N80-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 46A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥87.560215 +10：￥84.150906 +30：￥78.239253 +100：￥65.672893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10825 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH085N80-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10825 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH085N80-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥103.220564 +30：￥83.552546 +120：￥78.637003 +510：￥71.264798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10825 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH085N80-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥252.504848 +30：￥204.391666 +120：￥192.366944 +510：￥174.332579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 23A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10825 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH085N80-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 46A TO247 下载数据手册晶体管	+450：￥254.325554	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-247-3 系列： FCH085N80_F155 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 800 V Id-连续漏极电流： 46 A Rds On-漏源导通电阻： 85 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V Qg-栅极电荷： 255 nC Pd-功率耗散： 446 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 高度： 20.82 mm 长度： 15.87 mm 产品类型： MOSFET 宽度： 4.82 mm 零件号别名： FCH085N80_F155 单位重量： 6 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH085N80-F155 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥166.7548	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FCH085N80-F155 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥113.381115	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCH085N80-F155参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	85 毫欧 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 4.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	255 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10825 pF 100 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	446W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）