FDS6694厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6694 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS6694 下载数据手册未分类	+1：￥2.105462 +10：￥1.745605 +30：￥1.484623 +100：￥1.269473 +500：￥1.232766	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6694 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.817763 +10：￥0.60426 +30：￥0.565043 +100：￥0.525825 +500：￥0.50841	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6694 Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.000464 +10：￥1.47818 +30：￥1.382244 +100：￥1.286307 +500：￥1.243705	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11mOhm 12A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	FDS6694 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.000464 +10：￥1.47818 +30：￥1.382244 +100：￥1.286307 +500：￥1.243705	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDS6694参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1293 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）