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搜索 FDMC8030 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8030 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.832962 +10：￥9.221894 +30：￥7.684952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1975pF 20V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33（3x3）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8030 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33 下载数据手册射频晶体管	+1：￥25.908557 +10：￥22.728722 +30：￥20.849231 +100：￥18.936959 +500：￥17.560123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1975pF 20V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33（3x3）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8030 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.305414 +6000：￥3.14801 +9000：￥3.002697	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1975pF 20V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33（3x3）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8030 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥8.085919 +6000：￥7.700868 +9000：￥7.345393	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1975pF 20V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33（3x3）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMC8030 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33 下载数据手册射频晶体管	+1：￥19.573995 +10：￥15.987812 +100：￥12.440203 +500：￥10.544241 +1000：￥8.589413	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33 (3x3)
	FDMC8030 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33 下载数据手册射频晶体管	+1：￥19.573995 +10：￥15.987812 +100：￥12.440203 +500：￥10.544241 +1000：￥8.589413	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33 (3x3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8030 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33 下载数据手册未分类	+1：￥20.75889 +10：￥18.654949 +100：￥14.447066 +500：￥12.034546 +1000：￥9.622026	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8030 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥6.188985	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC8030参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1975pF 20V
功率 - 最大值:	800mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerWDFN
供应商器件封装:	8-Power33（3x3）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）