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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC8030_射频晶体管
FDMC8030
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33

射频晶体管

+1:

¥16.462368

+10:

¥10.974816

+30:

¥9.145728

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1975pF 20V

功率 - 最大值: 800mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power33(3x3)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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FDMC8030_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33

射频晶体管

+1:

¥25.908557

+10:

¥22.728722

+30:

¥20.849231

+100:

¥18.936959

+500:

¥17.560123

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1975pF 20V

功率 - 最大值: 800mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power33(3x3)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDMC8030_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33

射频晶体管

+3000:

¥4.081038

+6000:

¥3.886699

+9000:

¥3.707288

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1975pF 20V

功率 - 最大值: 800mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power33(3x3)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDMC8030_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33

射频晶体管

+3000:

¥7.052021

+6000:

¥6.716203

+9000:

¥6.406181

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1975pF 20V

功率 - 最大值: 800mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power33(3x3)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMC8030_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33

射频晶体管

+1:

¥17.071184

+10:

¥13.943545

+100:

¥10.849548

+500:

¥9.19601

+1000:

¥7.491136

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power33 (3x3)

FDMC8030_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33

射频晶体管

+1:

¥17.071184

+10:

¥13.943545

+100:

¥10.849548

+500:

¥9.19601

+1000:

¥7.491136

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power33 (3x3)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC8030_未分类
FDMC8030
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33

未分类

+1:

¥20.1361

+10:

¥18.09528

+100:

¥14.013637

+500:

¥11.673496

+1000:

¥9.333355

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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FDMC8030_未分类
FDMC8030
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

未分类

+3000:

¥6.28578

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMC8030参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1975pF 20V
功率 - 最大值: 800mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-Power33(3x3)
温度: -55°C # 150°C(TJ)