Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 23A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 80A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 254W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 235 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 12200 pF @ 25 V

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 23A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 80A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 254W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220-3

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 235 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 12200 pF @ 25 V

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 23A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 80A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 254W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220-3

Grade： Automotive

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 235 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 12200 pF @ 25 V

Qualification： AEC-Q101

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FDP8442_F085

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 40 V

Id-连续漏极电流： 23 A

Rds On-漏源导通电阻： 3.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： 181 nC

Pd-功率耗散： 254 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 17.2 ns

高度： 16.3 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 19.3 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 57 ns

典型接通延迟时间： 19.5 ns

宽度： 4.7 mm

零件号别名： FDP8442_F085

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 175 C