锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FDS6612A9 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS6612A_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDS6612A
授权代理品牌
+1:

¥12.312839

+10:

¥8.20864

+30:

¥6.840493

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 8.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 560 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS6612A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥2.997043

+200:

¥1.159882

+500:

¥1.119037

+1000:

¥1.09888

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 8.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 560 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDS6612A_未分类
FDS6612A
授权代理品牌
+1:

¥1.896995

+10:

¥1.58212

+30:

¥1.447174

+100:

¥1.312227

+500:

¥1.222263

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS6612A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥2.02032

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 8.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 560 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS6612A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥4.942239

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 8.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 560 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDS6612A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.301639

+10:

¥11.672867

+100:

¥8.948745

+500:

¥7.074029

+1000:

¥5.65917

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

FDS6612A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.301639

+10:

¥11.672867

+100:

¥8.948745

+500:

¥7.074029

+1000:

¥5.65917

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS6612A_未分类
FDS6612A
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC

未分类

+1:

¥14.051099

+10:

¥12.155836

+100:

¥8.414322

+500:

¥7.041888

+1000:

¥5.996227

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS6612A_未分类
FDS6612A
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

未分类

+2500:

¥3.495281

+5000:

¥3.416129

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDS6612A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 8.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 560 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)