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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA1024NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET

射频晶体管

+1:

¥5.223235

+10:

¥4.425544

+30:

¥4.032163

+100:

¥3.638781

+500:

¥3.398381

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 54 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 10V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA1024NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET

射频晶体管

+1:

¥6.28474

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 54 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 10V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA1024NZ_未分类
FDMA1024NZ
授权代理品牌

FDMA1024NZ VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+1:

¥3.217232

+20:

¥3.164404

+50:

¥3.032554

+5000:

¥2.979836

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA1024NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET

射频晶体管

+3000:

¥3.153209

+6000:

¥3.003047

+9000:

¥2.864451

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 54 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 10V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA1024NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET

射频晶体管

+3000:

¥7.713584

+6000:

¥7.34625

+9000:

¥7.007207

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 54 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 10V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMA1024NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET

射频晶体管

+1:

¥18.716741

+10:

¥15.259145

+100:

¥11.867271

+500:

¥10.058747

+1000:

¥8.193932

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-MicroFET (2x2)

FDMA1024NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET

射频晶体管

+1:

¥18.716741

+10:

¥15.259145

+100:

¥11.867271

+500:

¥10.058747

+1000:

¥8.193932

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-MicroFET (2x2)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA1024NZ_未分类
FDMA1024NZ
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET

未分类

+1:

¥21.232717

+10:

¥17.47616

+100:

¥13.556273

+500:

¥11.482002

+1000:

¥9.35873

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA1024NZ_未分类
FDMA1024NZ
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

未分类

+3000:

¥7.554544

+6000:

¥7.331479

+9000:

¥7.329921

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMA1024NZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 54 毫欧 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500pF 10V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)
温度: -55°C # 150°C(TJ)