FDS4559厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDS4559 共 32 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559 ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDS4559 SOP-8 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.573791 +12500：￥2.316424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.72734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1000：￥415.04536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDS4559 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS4559 TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥1.749096 +9000：￥1.656662 +12000：￥1.552423 +24000：￥1.524176 +51000：￥1.411292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS4559 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FDS4559 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥0.887899 +1000：￥0.838699 +2000：￥0.790889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS4559 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥62.51175 +5000：￥61.469888 +7500：￥60.428025 +10000：￥59.386163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDS4559 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS4559 TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥1.23808 +9000：￥1.216548 +15000：￥1.184251 +21000：￥1.130421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS4559 授权代理品牌	FDS4559 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.354421 +1000：￥1.279986 +2000：￥1.207519	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS4559 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.165901 +2500：￥5.07908 +5000：￥4.948847 +10000：￥4.905436	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS4559 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.10618 +5000：￥1.995362 +12500：￥1.84752 +25000：￥1.829259	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A，3.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 25V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDS4559参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A，3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	650pF 25V
功率 - 最大值:	1W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 175°C（TJ）