品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A，4.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 20V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A，4.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 20V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.2A，4.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 20V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 900mW

FET Type： N and P-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.2A, 4.4A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 760pF @ 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 29mOhm @ 6.2A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20nC @ 10V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOIC

Part Status： Active