品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82mOhm 1.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.1W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82mOhm 1.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.1W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82mOhm 1.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.1W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 82mOhm 1.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.1W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SSOT-3

系列： FDN5632N_F085

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 1.6 A

Rds On-漏源导通电阻： 98 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 12 nC

Pd-功率耗散： 1.1 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标名： UltraFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 1.3 ns

高度： 1.12 mm

长度： 2.9 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 1.7 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： Power Trench MOSFET

典型关闭延迟时间： 5.2 ns

典型接通延迟时间： 15 ns

宽度： 1.4 mm

零件号别名： FDN5632N_F085

单位重量： 30 mg

温度： - 55 C~+ 150 C