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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8958B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.981198	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8958B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+830：￥3.007245	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS8958B TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS8958B TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.941846 +9000：￥0.892098 +12000：￥0.83592 +24000：￥0.820743 +45000：￥0.759927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS8958B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+20：￥6.604056 +100：￥5.069652 +500：￥4.001693 +1000：￥3.387999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS8958B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+5：￥9.841562 +50：￥4.805875 +100：￥4.396187 +200：￥4.376189 +500：￥3.556924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS8958B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.614872 +3：￥4.537311 +5：￥4.498531 +7：￥4.42097	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS8958B TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS8958B TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.931889 +9000：￥0.915682 +15000：￥0.891371 +27000：￥0.850855	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS8958B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+100：￥4.395271 +500：￥4.285412 +800：￥4.175554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS8958B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.821509 +2500：￥4.740475 +5000：￥4.618924 +10000：￥4.578407	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS8958B ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥2.165775 +5000：￥2.002236 +7500：￥1.918873 +12500：￥1.828505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540pF 15V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS8958B参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.4A，4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 6.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	540pF 15V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）