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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA3023PZ_未分类
FDMA3023PZ
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 530pF 15V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA3023PZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET

射频晶体管

+3000:

¥1.921391

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 530pF 15V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA3023PZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET

射频晶体管

+3000:

¥4.700229

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 530pF 15V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMA3023PZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET

射频晶体管

+1:

¥12.215791

+10:

¥10.695604

+100:

¥8.200867

+500:

¥6.483056

+1000:

¥5.186419

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-MicroFET (2x2)

FDMA3023PZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET

射频晶体管

+1:

¥12.215791

+10:

¥10.695604

+100:

¥8.200867

+500:

¥6.483056

+1000:

¥5.186419

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-MicroFET (2x2)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA3023PZ_未分类
FDMA3023PZ
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET

未分类

+1:

¥13.044438

+10:

¥11.473495

+100:

¥8.794476

+500:

¥6.957034

+1000:

¥5.568432

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA3023PZ_未分类
FDMA3023PZ
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

未分类

+3000:

¥3.772944

+24000:

¥3.397283

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMA3023PZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 530pF 15V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-MicroFET(2x2)
温度: -55°C # 150°C(TJ)