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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥41.614441 +10：￥27.74288 +30：￥23.119107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.5 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2295pF 30V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册未分类	+1：￥16.216069 +10：￥15.888251 +30：￥15.658778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.5 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2295pF 30V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册未分类	+100：￥118.835054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.5 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2295pF 30V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥47.092185 +50：￥46.307315 +1000：￥45.130011 +3000：￥44.345141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.5 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2295pF 30V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.5 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2295pF 30V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥9.002453	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.5 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2295pF 30V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥22.022387	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： GreenBridge™ PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 4 个 N 通道（H 桥） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.5 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2295pF 30V 功率 - 最大值： 1.9W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 12-MLP（5x4.5）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥64.407254 +10：￥42.407817 +100：￥29.887414 +500：￥24.531363 +1000：￥22.808124	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： GreenBridge™ PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)
	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥64.407254 +10：￥42.407817 +100：￥29.887414 +500：￥24.531363 +1000：￥22.808124	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： GreenBridge™ PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 12-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 12-MLP (5x4.5)
	FDMQ86530L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP 下载数据手册未分类	+1：￥12.978659	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 1.9W FET Type： 4 N-Channel (Half Bridge) Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2295pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 33nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 12-MLP (5x4.5) Part Status： Active

FDMQ86530L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	GreenBridge™ PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	4 个 N 通道（H 桥）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17.5 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2295pF 30V
功率 - 最大值:	1.9W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	12-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	12-MLP（5x4.5）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）