 | FDMC2523P | MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3） 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMC2523P | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3） 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMC2523P | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3） 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMC2523P | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3） 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMC2523P | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3） 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMC2523P | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3） 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| FDMC2523P | | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3） 封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
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