品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V，25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA，410mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.44nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V，25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA，410mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.44nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V，25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA，410mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.44nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V，25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA，410mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.44nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V，25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA，410mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.44nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V，25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA，410mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.44nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-323-6

系列： FDG8842CZ

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel, P-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V, 25 V

Id-连续漏极电流： 750 mA

Rds On-漏源导通电阻： 400 mOhms, 1.1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V

Qg-栅极电荷： 1.03 nC, 1.2 nC

Pd-功率耗散： 360 mW

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 1 ns, 16 ns

高度： 1.1 mm

长度： 2 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 1 ns, 16 ns

晶体管类型： 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间： 9 nS, 35 nS

典型接通延迟时间： 4 nS, 6 nS

宽度： 1.25 mm

单位重量： 28 mg

温度： - 55 C~+ 150 C