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搜索 FDC6401N 共 23 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6401N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.679014 +10：￥4.827174 +30：￥3.975334 +100：￥3.549414 +500：￥3.265427	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6401N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 下载数据手册未分类	+1：￥3.474872 +10：￥2.797381 +30：￥2.502345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6401N MSKSEMI(美森科) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥0.784032 +50：￥0.63105 +150：￥0.554559 +500：￥0.497191 +3000：￥0.428349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6401N VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6401N VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.928988 +150：￥0.893257 +6000：￥0.786066 +24000：￥0.771732 +45000：￥0.714605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6401N TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDC6401N TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.618904 +9000：￥0.58623 +18000：￥0.54934 +33000：￥0.539327 +66000：￥0.499381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6401N 授权代理品牌	FDC6401N VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.81682 +25：￥0.796446 +50：￥0.775956 +100：￥0.755582 +150：￥0.741922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6401N 授权代理品牌	FDC6401N VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.81682 +25：￥0.796446 +50：￥0.775956 +100：￥0.755582 +150：￥0.741922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6401N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.71945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6401N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.639385 +6000：￥2.573401 +9000：￥2.529411 +12000：￥2.507416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6401N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.533759 +6000：￥1.453022 +9000：￥1.345394 +30000：￥1.332073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6401N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	324pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）