搜索 FQP1N50 共 5 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
FQP1N50 授权代理品牌 | +10： ￥2.090274 +1000： ￥1.983083 +5350： ￥1.929435 +8300： ￥1.875891 +11800： ￥1.804431 | 暂无参数 | |||
FQP1N50 授权代理品牌 | +50： ￥1.760169 +150： ￥1.729492 +250： ￥1.683534 +9850： ￥1.576454 | 暂无参数 |
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 授权代理品牌 | +1000： ￥2.776596 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| 授权代理品牌 | +1000： ￥6.792289 |
Mouser
FQP1N50参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | QFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9 欧姆 700mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 5.5 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 150 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 40W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |