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搜索 FDP8870 共 13 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDP8870_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDP8870
ON(安森美)
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￥17.253511

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￥11.50226

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国内：1~2 天

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工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

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FDP8870_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDP8870
ON(安森美)
授权代理品牌
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封装/外壳： -

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FDP8870_未分类
FDP8870
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

N-Channel 20V,-20V 140000mA TO-220AB -55°C~175°C 250W 30V

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未分类
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FDP8870_未分类
FDP8870
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB

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FDP8870_未分类
FDP8870
授权代理品牌

FDP8870 VBSEMI/微碧半导体

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FDP8870_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDP8870
ON(安森美)
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FDP8870
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Digi-Key
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FDP8870_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDP8870
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥8.784538

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货期：7~10 天

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FDP8870_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDP8870
ON(安森美)
授权代理品牌
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货期：7~10 天

系列： *

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FDP8870_未分类
FDP8870
ON Semiconductor
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

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1+:

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货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 19A (Ta), 156A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.1mOhm @ 35A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 160W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 132 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5200 pF @ 15 V

FDP8870参数规格

属性 参数值
系列: *
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -