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搜索 FDS89161LZ 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS89161LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.73832 +10：￥15.15888 +30：￥12.6324	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 302pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS89161LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.798562 +100：￥5.668124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 302pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS89161LZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS89161LZ ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 下载数据手册未分类	+2500：￥4.68604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS89161LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC 下载数据手册未分类	+10：￥14.104463 +100：￥11.305133 +500：￥9.442377 +1000：￥7.708995 +2500：￥7.23529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS89161LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥13.491217 +10：￥9.01135 +50：￥8.372741 +100：￥7.054523 +200：￥6.673547	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 302pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS89161LZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS89161LZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥2.143815 +100：￥2.108086 +1000：￥2.054543 +3000：￥1.929435 +10000：￥1.893704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS89161LZ 授权代理品牌	FDS89161LZ UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.253013 +1000：￥1.206824 +1500：￥1.161329	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS89161LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+100：￥6.265067 +500：￥6.10844 +800：￥5.951814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 302pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS89161LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.871575 +2500：￥8.722473 +5000：￥8.49882 +10000：￥8.424269	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 302pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS89161LZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.41618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.3nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 302pF 50V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS89161LZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.3nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	302pF 50V
功率 - 最大值:	1.6W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）