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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6327C ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDC6327C SOT-23 下载数据手册射频晶体管	+20：￥4.288845 +100：￥2.90037 +800：￥2.128995 +3000：￥1.54275 +6000：￥1.465673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A，1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 325pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6327C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.137103 +10：￥6.980722 +30：￥6.354791 +100：￥5.771296 +500：￥5.389372	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A，1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 325pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6327C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6327C 下载数据手册未分类	+1：￥1.50234 +10：￥1.250589 +30：￥1.142695 +100：￥1.034802 +500：￥0.962873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6327C TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥0.630722 +50：￥0.558602 +150：￥0.522432 +500：￥0.495442 +3000：￥0.4148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6327C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.06722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A，1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 325pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6327C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.063277 +6000：￥1.009193 +9000：￥0.93712 +30000：￥0.91551	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A，1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 325pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6327C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.021319 +6000：￥4.650785 +9000：￥4.462001	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A，1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 325pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6327C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥19.582254 +10：￥12.330701 +100：￥8.137345 +500：￥6.337002 +1000：￥5.75749	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6
	FDC6327C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥19.582254 +10：￥12.330701 +100：￥8.137345 +500：￥6.337002 +1000：￥5.75749	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6327C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 下载数据手册未分类	+1：￥17.577867 +10：￥12.536667 +100：￥8.556773 +500：￥6.881902 +1000：￥6.085923	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDC6327C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.7A，1.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 2.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	325pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）