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搜索 FDC6420C 共 19 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥0.476292 +10：￥0.458652 +100：￥0.416316 +500：￥0.395148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDC6420C SOT-23-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.217148 +15000：￥2.895409	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A，2.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6420C 台舟电子(TECH PUBLIC) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) FDC6420C SOT23-6 下载数据手册未分类	+1：￥0.722733 +10：￥0.674696 +100：￥0.626417 +500：￥0.481822	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.94864 +100：￥0.83006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A，2.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6420C TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥0.41987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6420C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+200：￥0.914653 +500：￥0.878922 +1000：￥0.864694 +3000：￥0.850359 +10000：￥0.81463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6420C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 下载数据手册未分类	+100：￥30.001185	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A，2.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6420C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC6420C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.493057 +9000：￥0.480199 +15000：￥0.46734 +51000：￥0.450159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6420C TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDC6420C TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+100：￥0.537114 +500：￥0.516455 +1000：￥0.495797 +3000：￥0.475139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.207644 +6000：￥1.129748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A，2.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6420C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A，2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	324pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）