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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDC6420C SOT-23-6 下载数据手册射频晶体管	+1500：￥1.90152 +4500：￥1.358208 +9000：￥1.358208	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A，2.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.829853 +10：￥4.261635 +30：￥4.021235 +100：￥3.726199 +500：￥3.584145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A，2.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6420C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N+P沟道 20V 4.2A 下载数据手册未分类	+5：￥1.682254 +50：￥1.367657 +150：￥1.232923 +500：￥0.913848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6420C TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDC6420C 下载数据手册未分类	+5：￥0.634 +50：￥0.566251 +150：￥0.555652 +500：￥0.468343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.94864 +100：￥0.83006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A，2.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6420C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+200：￥0.914653 +500：￥0.878922 +1000：￥0.864694 +3000：￥0.850359 +10000：￥0.81463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6420C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 下载数据手册未分类	+100：￥30.001185	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A，2.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6420C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC6420C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.493057 +9000：￥0.480199 +15000：￥0.46734 +51000：￥0.450159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6420C TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDC6420C TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+100：￥0.537114 +500：￥0.516455 +1000：￥0.495797 +3000：￥0.475139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6420C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.49102 +6000：￥1.394845	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A，2.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 324pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6420C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A，2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	324pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）