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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6875 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.53331 +10：￥9.688954 +30：￥8.074088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6875 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥9.976598 +10：￥8.501416 +30：￥7.583525 +100：￥6.64378 +500：￥6.217617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6875 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC 下载数据手册未分类	+13：￥9.872198 +100：￥7.704879 +500：￥6.365889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6875 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.085412 +5000：￥3.054268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6875 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥7.547735 +5000：￥7.471548	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6875 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥23.253925 +10：￥15.757594 +100：￥11.071623 +500：￥8.979075 +1000：￥8.294769	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6875 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥23.253925 +10：￥15.757594 +100：￥11.071623 +500：￥8.979075 +1000：￥8.294769	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FDS6875 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 900mW Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2250pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 30mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 31nC @ 5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SOIC Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6875 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥19.733644 +10：￥15.090433 +100：￥11.69094 +500：￥9.73416 +1000：￥9.269837	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6875 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥8.404416 +10：￥8.124269 +25：￥8.043785 +100：￥7.755901	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDS6875参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2250pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）